반도체 제조는 전공정과 후공정으로 나뉩니다. 반도체 웨이퍼를 외부로 부터 보호하는 등의 과정인 반도체 후공정에 대해 알아보도록 하겠습니다.
반도체 후공정이란
반도체 후공정은 반도체 전공정 이후 진행되는 과정입니다. 후공정은 칩 핸들링, 칩 본딩, 패키지 폼팩터, 테스트 4단계로 진행됩니다. 후공정 단계에서는 전공정을 통해 만들어진 반도체 웨이퍼 회로를 외부로부터 보호하고 시스템에 장착하는 단계입니다.
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반도체 후공정 단계
칩 핸들링
가장 먼저 칩 핸들링 단계입니다. 백 그라인딩 작업을 통해 웨이퍼에서 칩을 분리합니다. 이 작업에서는 웨이퍼의 뒷면을 연마합니다. 다음으로 칩의 가장자리를 절단하는데요. 절단하는 이유는 칩의 크기를 조절하기 위함입니다. 다음으로 칩 테스트를 통해 칩의 전기적 특성이 잘 띄고 있는 지를 확인하며 마지막으로 칩 코팅을 통해 칩 표면을 보호해줍니다.
칩 본딩
다음은 칩 본딩 작업입니다. 칩과 패키지를 연결하는 공정으로서 여기서의 연결은 전기적 연결을 의미합니다. 먼저 금속선을 사용해 칩과 패키지를 연결하는 와이어본딩 작업을 거칩니다. 다음은 솔더볼 본딩을 통해 연결을 시키고, 마지막으로 칩을 패키지 위에 붙여서 연결하는 플립칩 본딩 작업을 거칩니다.
패키지 폼팩터
다음을 칩을 외부로부터 보호하고 시스템에 장착하는 작업입니다. 칩과 부품을 합께 패키징하는 모듈, 4개의 칩을 하나로 패키징하는 쿼드팩 이외에도 BGA, QFN, CSP, LGA, PGA 등 다양한 폼팩터 종류가 있습니다.
테스트
마지막으로 전기적 특성을 테스트하는 공정입니다. 전기적 특성을 측정하는 전기적 테스트, 기능을 확인하는 기능테스트, 다양환 환경에서의 가동 여부를 확인하는 환경테스트 등이 있습니다.
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